シリコンゲルマニウムプロセスを採用した送信用パワーアンプICの製品化について 2005年11月16日
当社は、PHSや無線LANなど1.9GHz~2.5GHzの周波数帯の無線通信機器向けに、シリコンゲルマニウム(SiGe)プロセスを採用した送信用パワーアンプIC「TA4401CT」を製品化し、本日からサンプル出荷を開始しました。2006年2月からは、月産50万個の規模で量産を開始する予定です。 新製品は、SiGeプロセスを採用しているため、当社従来品(ガリヒ素(GaAs)プロセス)の約3分の1のウエハーコストに抑えることができる一方、一般にSiGe品では難しいとされている高出力*とGaAs品並みの低消費電流*2を実現しています。 当社は、本製品を投入することで、PHS向パワーアンプICのシェア拡大を図っていきます。
新製品の概要
新製品のおもな特長
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