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45ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発について

2006年2月1日

NECエレクトロニクス株式会社
ソニー株式会社
株式会社 東芝

NECエレクトロニクス株式会社(以下、NECエレクトロニクス)、ソニー株式会社(同、ソニー)および株式会社東芝(同、東芝)は、45ナノメートル(1ナノは10億分の1:以下、nm)世代に対応するシステムLSIプロセス技術を共同開発することで合意しました。

 最先端システムLSIは、デジタルコンシューマー機器やモバイル・通信機器等のデータの高速処理など高性能化や高機能化に加え、低消費電力化や小型化など様々な技術が要求されており、実現するための微細化プロセス技術の開発は、ますます重要かつ難易度が高くなっています。このため、45nm世代を含む最先端LSIのプロセス開発には、従来にも増して莫大な開発リソースを投入する必要があり、世界中のシステムLSI各社が、より効率的な開発を目指して、協力関係の構築を進めています。

 ソニーと東芝は、2004年2月に45nm世代に対応するシステムLSIプロセス技術を共同開発することを発表、東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター(横浜市・新杉田)を拠点に様々な技術開発を進めています。その成果は、半導体関連学会などで発表され、高い評価を得ています。一方、NECエレクトロニクスと東芝は、2005年11月に、同世代のプロセス技術の共同開発で合意し、詳細の検討を進めてきました。

 今回の合意により、ソニーと東芝の共同開発に、NECエレクトロニクスの45nm開発要員が参画します。3社の開発リソースを東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンターに集結させることで、45nm世代のシステムLSIプロセス技術開発を共同で推進し、開発効率の向上と開発スピードのさらなる加速を図ります。3社は、より高度な技術が求められる45nmシステムLSIプロセス技術の一層強力な開発体制を構築し、同技術の早期確立を目指します。


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