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半導体事業における設備投資の追加について

2006年2月9日

NANDフラッシュメモリの生産能力増強

 当社は、シリコンオーディオプレーヤーや携帯電話用メモリカード向け等に急速に市場が拡大するNANDフラッシュメモリの需要急増に対応するため、今年度の半導体事業の設備投資を 630億円追加し、メモリ生産ラインの更なる増強を行います。
 当社の今年度の半導体事業設備投資総額は、昨年10月に追加設備投資を決定し既に過去最大となっておりましたが、今回の追加投資によりこれを更新し2、890億円となります。

 今回の追加投資は、主にメモリ拠点である四日市工場(三重県四日市市)の300ミリウェハの製造ラインの設備増強に充当します。四日市工場では、昨年7月より300ミリウェハ対応の新製造棟が稼動しており、2006年下期末には、月産48,750枚の生産に対応する計画でしたが、今回の追加投資により、これを月産70,000枚に拡大します。
 また、当社は、最先端プロセスの技術開発に注力し、製造プロセスの微細化を進めています。既に200ミリウェハ対応の製造ラインでは70ナノメートルプロセス*1を用いた製造を行っており、300ミリウェハ対応の製造ラインでも、今月70ナノメートルプロセスの量産を開始します。さらに2006年下期には、最先端52ナノメートルのプロセスに移行する計画です。

 NAND型フラッシュメモリは、デジタルカメラや各種メモリカードに加え、携帯電話、USBメモリ、シリコンオーディオプレーヤー向け等に市場が急拡大しており、また、同時に増え続ける画像や音楽向けの記録容量に対応するための大容量化が求められております。当社は、急拡大する需要に対し、生産能力の拡大と製造プロセスの微細化、ならびに他社に先行する多値化技術*2で対応していきます。

 なお、四日市工場の300ミリウェハ製造ラインの設備については、当社と米国サンディスクコーポレーションとの共同出資会社である、フラッシュパートナーズ有限会社の設備として導入します。
*1 ナノメートル:10−9
*2 多値化技術 :1つのメモリセルに2値以上のデータを書き込む技術。これによりチップ面積を増やすことなく、大容量のデータを保存することが可能になる。


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