株式会社　東芝
日本電気株式会社

　東芝とＮＥＣはこのたび、ＭＲＡＭ（注１）の共同開発において、２５６Ｍｂｉｔ級の大容量化に必要な基盤技術を確立しました。
　本技術は、２００３年度から３年間にわたり継続してきた、ＮＥＤＯ（独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）のナショナルプロジェクト「不揮発性磁気メモリＭＲＡＭ実用化技術の開発」の当初の目標を達成するもので、次のような要素技術で構成されます。

　高度情報化社会の進展に伴い、大容量かつ高性能な不揮発性メモリへの需要は増大の一途をたどっています。ＭＲＡＭは、素子の磁化方向により情報の蓄積を行う不揮発性メモリで、（１）無限回数の書き換え耐性を有するため、不揮発で完全なＲＡＭ動作が実現できること、（２）ＭＴＪ素子は半導体プロセスを終えた後に作製可能で、ＣＭＯＳデバイスと混載しやすいこと、（３）１Ｖ級の、既存メモリの中で最も低いセル動作電圧を実現できること、（４）既存メモリに比べ高温での動作も可能であること、などの特長を有しています。これらの特長は既存のメモリでは実現不可能であるため、ＭＲＡＭは次世代のワークメモリ・システムＬＳＩ混載メモリとして注目されています。しかし、実用化のためには、書き込みの制御性の大幅な向上、低電圧化・高速化のための回路技術、磁性薄膜の加工技術などの磁性体集積化プロセス技術の確立などが課題となっていました。

　東芝とＮＥＣは２００２年度よりＭＲＡＭの共同開発を開始し、２００３年度からはＮＥＤＯの助成を受けて、０．１３μｍＣＭＯＳ技術と０．２５μｍ強磁性体トンネル接合技術を用いて２５６Ｍｂｉｔ級ＭＲＡＭ実現のための基盤技術構築を目指し、開発を加速してきました。
　今後両社は、プロセス基盤技術の共同開発を継続しながら、さらなる大容量化や高速化に向けたデバイス開発を促進していきます。

（ご参考）新素子形状
　従来の楕円形のMTJは点線で示すような書き込み閾値曲線をもち、書き込みwindowが小さいため誤書き込みが発生する場合がありました。
今回、独自開発のプロペラ型素子形状とすることにより、実線で示される書き込み閾値曲線となり、書き込みwindowが拡大し、誤書き込みを低減できました。さらに、この効果によって、世界最小の書き込み電流値(4～5mA)で安定に動作させることが出来るようになりました。