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東芝・四日市工場におけるNAND型フラッシュメモリ新製造棟の建設について

2006年8月4日

東芝とサンディスクがNAND型フラッシュメモリ製造の新しいパートナーシップを開始

東芝 四日市工場(中央左側空地が第四製造棟建設地
 
東芝・四日市工場 第四製造棟’完成予想図)

株式会社 東芝
サンディスクコーポレーション

 株式会社東芝(本社:東京都港区 以下、東芝)とサンディスクコーポレーション(本社:米国・カリフォルニア州)の本年7月の合意に基づいて、本日、東芝は半導体メモリの拠点である東芝・四日市工場(三重県四日市市)において、300ミリウェハーに対応したNAND型フラッシュメモリの新製造棟(以下、第四製造棟)の建設を開始しました。

 NAND型フラッシュメモリは、シリコンオーディオプレーヤーや携帯電話、各種メモリカードなど幅広いアプリーションへの採用が進み、その市場は急成長を続けています。両社は、東芝・四日市工場に300ミリウェハーに対応した最新鋭の第三製造棟を昨年夏から稼動させ、当初投資計画の前倒しなどにより能力増強を進めてきましたが、2008年以降に見込まれる、さらなる需要拡大に対応するため、今回、第四製造棟の建設に着手したものです。

 第四製造棟への投資金額は、06年度から07年度の2年間で、約3,000億円を見込んでいます。第四製造棟の建設は東芝が担当し、製造設備は両社が共同で出資するFlash Alliance有限会社で導入します。生産するウェハーは両社で均分する予定です。
 第四製造棟では、2007年第4四半期(10−12月期)から、NAND型フラッシュメモリを月産2,500枚規模で量産を開始します。さらに、1年後の2008年第4四半期(10−12月期)には、月産67,500枚まで生産能力を拡大する予定です。製造プロセスは、最先端56nmからスタートし、その後順次、次世代のプロセスを導入していきます。

 また、第四製造棟では、地震による揺れを3分の1程度まで抑えることができる免震構造や、落雷等による瞬間的な電圧低下に対応するSMES(超伝導電力貯蔵装置)を採用することで、自然災害による製造装置への影響を抑制する対策を行います。

 両社は、第四製造棟の建設により、NAND型フラッシュメモリの生産能力を継続的に拡大していくとともに、微細化技術、多値化技術などの技術開発で常に先行することで、世界シェアでトップクラスにあるNAND型フラッシュメモリの競争力を更に強化し、今後も市場におけるリーダシップを堅持していきます。

nm:ナノメートル。10-9

第四製造棟の概要

建物構造 鉄骨造5階建(CR2層)
建家面積

約 35,500m2

延床面積 約181,000m2
クリーンルーム面積 約 48,800m2
着工 2006年8月
建物完成 2007年7月(予定)
量産開始 2007年第4四半期(10月―12月期)(予定)

東芝四日市工場の概要

所在地 三重県四日市市山之一色町800
設立 1992年(平成4年)
工場長 戸澤 周純(とざわ のりよし)
従業員数 約2,200名
敷地面積 約312,300m2
延床面積 約260,000m2
(上記延床面積には、新製造棟(第四製造棟)は含みません。)

Flash Alliance有限会社の概要

所在地 三重県四日市市山之一色町800
設立 2006年(平成18年)7月
代表取締役社長 成毛 康雄(なるけ やすお)
資本金 300万円
出資比率 東芝:50.1%  サンディスク:49.9%

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