56nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの新製品について

2007年1月24日

業界最大容量16ギガビットなど製品化

56nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリ

 

 当社は、最先端56nm*1プロセスを用いた16ギガビット(2ギガバイト)、8ギガビット(1ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリを製品化します。16ギガビットは、1チップあたり業界最大容量*2となります。

 現在市場で主流の8ギガビット品の量産を今月から開始し、本年第2四半期の早期から16ギガビット品の量産も行う予定です。昨年末からの開発サンプル出荷に続き、本日から順次製品サンプルの出荷を行います。

 新製品は、微細化の効果を活かし、前世代比2倍の業界最大容量*216ギガビット品を含むラインアップを実現したのに加え、一度に処理するデータ(ページ)を倍増して書き込み速度も従来比2倍*3の一秒あたり10メガバイトに高め、大容量化・高速化を両立しています。

 今後も当社は、微細化・多値化の新技術開発を継続するとともに、設備増強や生産効率改善を進め、市場ニーズに応じた供給力とコスト競争力を確保していきます。

*1 nm :ナノメートル。10-9m 
*2

1枚のシリコンチップあたりの容量

*3 多値技術を用いた当社従来品の最高速度との比較

新製品の概要

新製品の概要

新製品の主な特長 

1. 最先端56nmプロセスと素子当たりのデータ保存量を高める多値技術の採用などにより、1チップあたりの容量を前世代の製品の2倍にしています。
   
2. 微細化の効果に加え、次のような高速書き込み技術を導入しています。

一度に書き込むページサイズを従来の2,112バイトから2倍の4,314バイトに拡張

データの処理待ちを低減して高速化するライト・キャッシュ機能を採用

これにより、当社従来品(多値)の2倍にあたる10メガバイト/秒の高速書き込みを実現しています。

新商品の主な仕様

新商品の主な仕様

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