東芝トップページ お問い合わせ
新着情報  発表月別  テーマ別
56nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの新製品について

2007年1月24日

業界最大容量16ギガビットなど製品化

56nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリ

 

 当社は、最先端56nm*1プロセスを用いた16ギガビット(2ギガバイト)、8ギガビット(1ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリを製品化します。16ギガビットは、1チップあたり業界最大容量*2となります。

 現在市場で主流の8ギガビット品の量産を今月から開始し、本年第2四半期の早期から16ギガビット品の量産も行う予定です。昨年末からの開発サンプル出荷に続き、本日から順次製品サンプルの出荷を行います。

 新製品は、微細化の効果を活かし、前世代比2倍の業界最大容量*216ギガビット品を含むラインアップを実現したのに加え、一度に処理するデータ(ページ)を倍増して書き込み速度も従来比2倍*3の一秒あたり10メガバイトに高め、大容量化・高速化を両立しています。

 今後も当社は、微細化・多値化の新技術開発を継続するとともに、設備増強や生産効率改善を進め、市場ニーズに応じた供給力とコスト競争力を確保していきます。

*1 nm :ナノメートル。10−9m 
*2

1枚のシリコンチップあたりの容量

*3 多値技術を用いた当社従来品の最高速度との比較

新製品の概要

新製品の概要

新製品の主な特長 

1. 最先端56nmプロセスと素子当たりのデータ保存量を高める多値技術の採用などにより、1チップあたりの容量を前世代の製品の2倍にしています。
   
2. 微細化の効果に加え、次のような高速書き込み技術を導入しています。

一度に書き込むページサイズを従来の2,112バイトから2倍の4,314バイトに拡張

データの処理待ちを低減して高速化するライト・キャッシュ機能を採用

これにより、当社従来品(多値)の2倍にあたる10メガバイト/秒の高速書き込みを実現しています。

新商品の主な仕様

新商品の主な仕様

新製品についての
お客様からの
お問い合わせ先
メモリ営業部 ファイルメモリ営業担当    TEL 03(3457)3420
 

プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。

▲プレスリリースのトップへ

東芝トップページ 個人情報保護方針 Copyright