株式会社　東芝　
サンディスクコーポレーション　

　株式会社東芝（以下、東芝）とサンディスクコーポレーション（以下、サンディスク）は本日、東芝四日市工場（三重県四日市市）で300ミリウェハーに対応したNAND型フラッシュメモリ新製造棟（第四製造棟）の竣工式を行いました。
　NAND型フラッシュメモリは、携帯電話や音楽プレーヤ、パソコン、メモリカードなどデジタル機器向けに需要拡大を続けており、新棟はこれに対応して昨年8月から東芝が建設を進めていたものです。

　新棟では、本年12月に量産を開始し、2008年後半には月産8万枚まで生産能力を整備する計画です。その後も市場動向に応じた追加投資を実施し、フル生産時にはLSI製造棟単独の生産能力としては世界最大級の月産21万枚程度に達する見込みです。
　微細加工技術としては、当初56nm（ナノメートル：10億分の1メートル）プロセスを採用し、2008年3月以降順次、次世代43nmプロセスに移行する予定です。
　また、新棟は、自然災害の影響を抑えるため、地震による建物の揺れを1／3程度まで抑える最新の免震構造や、落雷時の製造用電力の変動を防ぐ電圧補償装置を備えています。

　新棟向け設備投資のうち、建物の建設費用は東芝が負担し、内蔵装置の費用は両社折半出資による合弁会社・フラッシュアライアンス社（東芝50．1％、サンディスク49．9％出資）が負担します。
　両社は、今回の第四製造棟に最先端の微細化技術や多値化技術を導入して競争力をさらに強化し、今後も市場におけるリーダシップを堅持していきます。