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32ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発について

2007年11月27日


株式会社東芝
NECエレクトロニクス株式会社

 株式会社東芝(代表執行役社長:西田厚聰)およびNECエレクトロニクス株式会社(代表取締役社長:中島俊雄)は、32ナノメートル(以下nm、1ナノは10億分の1)世代のシステムLSIプロセス技術を共同開発することについて合意いたしました。

 両社は、2006年2月から45nm世代に対応するシステムLSIプロセス技術を共同開発してきました。今回の合意にもとづき、引き続き32nm世代でも共同開発を行うことで、量産に向けた最先端プロセス開発を加速していくとともに、開発コストの負担を両社で分担し、投資効率の向上を図ります。

 32nm世代のプロセス技術開発では、高性能化・低消費電力化を実現するために非常に高度な技術が要求され、従来にも増して開発リソースの負担が増大します。このため、世界の主要なシステムLSIメーカーが開発効率向上に向けて協力関係の構築を進めています。こうした環境の中、東芝とNECエレクトロニクスは、今後の32nm世代のロジック製品の量産化に向けたプロセス開発を効率的に進めるために、プロセス技術の共同開発について検討してまいりました。

 今回の合意により、両社は現在45nmの共同開発を行っている東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンター(横浜市)において、引き続き32nm共同開発を推進し、開発効率の向上を図ります。両社で開発するのは基幹プロセスとし、それ以外の付加プロセスや差異化プロセスについては、両社で協議の上、個別にその扱いを決めてまいります。また、製品の生産に関しては共同生産を視野に入れて両社で協議を継続し、2008年中に方針を決定します。

 両社は、今回の提携により、高性能・高品質な、市場競争力のあるシステムLSI製品を早期に市場投入し、世界の半導体業界におけるリーディングカンパニーを目指します。

 


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