３２ｎｍ世代のＣＭＯＳプロセス技術開発を含む契約を新たに締結

株式会社　東芝
IBMコーポレーション

　ＩＢＭコーポレーション（以下、ＩＢＭ）と株式会社東芝（以下、東芝）は、３２ナノメートル（以下ｎｍ、１ナノは１０億分の１）世代のバルクＣＭＯＳプロセス技術を共同開発することについて合意しました。

　両社は、２００５年１２月から、米国ニューヨーク州ヨークタウンやアルバニーにある研究施設において、３２ｎｍ以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めてまいりました。今回の合意により、これまでの基礎研究の成果を基に、共同開発対象を３２ｎｍ世代のバルクＣＭＯＳプロセス技術まで広げます。

　今回の合意により東芝は、現在ＩＢＭとそのパートナー企業の合わせて６社が米国ニューヨーク州イースト・フィッシュキルで行っている、３２ｎｍバルクＣＭＯＳプロセス技術の共同開発のアライアンスに加わることになります。

　今後両社は、３２ｎｍ世代の高性能・低消費電力チップの実現に向けた技術開発を加速し、世界の半導体業界におけるリーディングカンパニーを目指します。

ゲーリー・パットン（ＩＢＭコーポレーション　ＩＢＭ半導体研究開発センター担当バイス・プレジデント）
　「今回の合意は、ＩＢＭおよびアライアンス・パートナー企業にとって非常に弾みのついた一年を締めくくるものです。２００８年も引き続き、ニューヨーク州立大学アルバニー校のアルバニー・ナノテクなど世界レベルの研究開発施設へのアクセスを含むオープンな環境で協同して取り組んでいる優秀なエンジニアや半導体研究開発の専門家がもたらす業界や生産技術にとって画期的な成果を共に出していきます。」

齋藤昇三（株式会社東芝　執行役上席常務　セミコンダクター社　社長）
　「東芝は、ＩＢＭとの共同基礎研究に続いて、世界の主要なシステムＬＳＩメーカーが行う共同開発の一員として、３２ｎｍバルクＣＭＯＳプロセスの開発を推進していきます。同時に、東芝は、東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）で行う３２ｎｍ世代の量産化に向けたプロセス開発を加速していき、最先端デバイスの早期量産化を目指します。」