東芝トップページ お問い合わせ
新着情報  発表月別  テーマ別
東芝とIBMによる半導体研究開発に関する提携関係の拡大について

2007年12月18日

32nm世代のCMOSプロセス技術開発を含む契約を新たに締結

株式会社 東芝
IBMコーポレーション

 IBMコーポレーション(以下、IBM)と株式会社東芝(以下、東芝)は、32ナノメートル(以下nm、1ナノは10億分の1)世代のバルクCMOSプロセス技術を共同開発することについて合意しました。

 両社は、2005年12月から、米国ニューヨーク州ヨークタウンやアルバニーにある研究施設において、32nm以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めてまいりました。今回の合意により、これまでの基礎研究の成果を基に、共同開発対象を32nm世代のバルクCMOSプロセス技術まで広げます。

 今回の合意により東芝は、現在IBMとそのパートナー企業の合わせて6社が米国ニューヨーク州イースト・フィッシュキルで行っている、32nmバルクCMOSプロセス技術の共同開発のアライアンスに加わることになります。

 今後両社は、32nm世代の高性能・低消費電力チップの実現に向けた技術開発を加速し、世界の半導体業界におけるリーディングカンパニーを目指します。

ゲーリー・パットン(IBMコーポレーション IBM半導体研究開発センター担当バイス・プレジデント)
 「今回の合意は、IBMおよびアライアンス・パートナー企業にとって非常に弾みのついた一年を締めくくるものです。2008年も引き続き、ニューヨーク州立大学アルバニー校のアルバニー・ナノテクなど世界レベルの研究開発施設へのアクセスを含むオープンな環境で協同して取り組んでいる優秀なエンジニアや半導体研究開発の専門家がもたらす業界や生産技術にとって画期的な成果を共に出していきます。」

齋藤昇三(株式会社東芝 執行役上席常務 セミコンダクター社 社長)
 「東芝は、IBMとの共同基礎研究に続いて、世界の主要なシステムLSIメーカーが行う共同開発の一員として、32nmバルクCMOSプロセスの開発を推進していきます。同時に、東芝は、東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター(横浜市)で行う32nm世代の量産化に向けたプロセス開発を加速していき、最先端デバイスの早期量産化を目指します。」


プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。

▲プレスリリースのトップへ

東芝トップページ 個人情報保護方針 Copyright