東芝トップページ お問い合わせ
新着情報  発表月別  テーマ別
世界最高速の混載DRAM技術の開発について

2008年2月6日

 当社は、LSIの混載DRAMの新技術として、32Mbの実用的容量で世界最高速833MHzを実現する回路を開発しました。今後、画像処理LSIの高速化等に応用していきます。
 本成果については、2月3日から米サンフランシスコで開催中の半導体国際学会ISSCC(国際固体素子回路学会)において、本日(現地時間)講演を行いました。

 混載DRAMは、外付けメモリに比べより高速参照できるため、大容量データを扱う画像処理LSIなどに採用されていますが、高精細動画の普及拡大などを背景に更なる高速化が求められています。

 今回当社は、対象領域を都度指定して読み書きする従来方式に替え、メモリ全体を仮想的に2分割して読み書きを並列・交互に処理して高速化する「擬似2ポート」方式を導入しました。
 これに対応してデータ入出力の命令系統を見直すなど回路全般を最適化し、幅広い用途向けに実用的とされる32Mb以上の大容量混載DRAMで世界最高速動作を実現しました。

 DRAM混載のシステムLSIは、次世代の高性能デジタル家電や、ゲーム、携帯電話、プロジェクタなど、高精細映像の大容量データを高速で処理するアプリケーションを中心に採用が検討されています。
 当社では、新技術を最先端65nmシステムLSI向けに早期に適用し、市場のニーズに応えていきます。

混載DRAMの特徴


擬似2ポート方式


チップ写真

プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。

▲プレスリリースのトップへ

東芝トップページ 個人情報保護方針 Copyright