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半導体新製造棟の建設について

2008年2月19日

三重県四日市市と岩手県北上市に2棟並行して建設

 当社は、需要拡大の続いているNAND型フラッシュメモリの生産能力の増強、及び将来的には次世代メモリの生産拠点としての活用も視野に入れて、三重県四日市市、及び岩手県北上市に2カ所並行して新製造棟を建設する方針を決定しました。現在、メモリの工場は第4製造棟まで稼動していますが、さらに2棟の建設をほぼ同時に行い、能力増強の余地を拡大して、需要急増にタイムリーに対応できる体制を整えるとともに、将来の次世代メモリの速やかな量産立ち上げに備えることで、さらなる事業競争力強化を図ります。

 新製造棟2棟は、当社四日市工場の隣接地、及び岩手東芝エレクトロニクス株式会社の敷地内に建設する計画です。今後、建築の検証や設計、各種許認可手続きを経て、両製造棟ともに2009年春に着工、2010年の竣工を予定しています。両製造棟の建設や生産計画等の詳細については、今後の市場動向や建設準備作業を踏まえ、改めて決定いたします。

 なお、本日、当社のメモリ事業のパートナーであるサンディスク社との間で、新製造棟のうちの1棟の共同運営、2010年の量産開始に関する基本計画に合意しました。詳細については別途両社で決定します。また、残る1棟についても、将来、サンディスク社の参画の可能性について、両社で協議を開始していく予定です。


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