業界最大＊132ギガバイトの組込み式ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの新製品発売について
2008年8月7日
−9月より順次サンプル出荷−
当社は、携帯電話やビデオカメラなどの携帯機器向けに、業界最大となる大容量32ギガバイトの組み込み式ＮＡＮＤ型フラッシュメモリなどの新製品を発売します。本年9月から順次サンプル出荷を行い、2008年第4四半期（10−12月）から量産を開始します。
今回発売する32ギガバイトの新製品は、標準の小型パッケージに先端技術43ｎｍプロセスによる32ギガビットＮＡＮＤチップ8枚とコントローラチップを納めた制御機能付メモリで、同種製品で業界最大容量を実現しました。高速メモリカード規格のJEDEC/ＭＭＣＡ Ver. 4.3＊2やSDA Ver. 2.0＊3などに準拠した本製品は、機器への組み込みを容易にし、ユーザー側の新規開発の負担を軽減します。新製品のラインアップは、容量のニーズに応じて、1ギガバイトから32ギガバイトの７種類を展開します。
近年、ワンセグ機能付き携帯電話などをはじめ、携帯機器で高画質動画を保存するニーズが増加しており、映像データを保存する大容量メモリが求められています。このような背景のもと、当社では、機器側の開発負担軽減に寄与する大容量メモリ製品のラインアップを強化することで、市場におけるシェア拡大を目指します。
| ＊1 |
2008年8月時点、当社調べ。 |
| ＊2 |
JEDEC/MMCA Ver. 4.3 |
： |
JEDEC/MMCA（MultiMediaCard Association）が規定するメモリカード標準規格の一つ |
| ＊3 |
SDA Ver. 2.0 |
： |
SDA（SDアソシエーション）が規定するメモリカード標準規格の一つ |
新製品の概要
e-MMC
| 型 名 |
容量 |
パッケージ |
サンプル出荷(CY) |
量産時期(CY) |
量産規模 |
| THGBM1G8D8EBAI2 |
32GB |
169Ball FBGA
14x18x1.4mm |
2008年10月 |
2008年4Q |
トータル
100万個／月 |
| THGBM1G7D8EBAI0 |
16GB |
169Ball FBGA
12x18x1.4mm |
2008年 9月 |
2008年4Q |
| THGBM1G7D4EBAI2 |
16GB |
169Ball FBGA
14x18x1.4mm |
2008年4Q |
2008年4Q |
| THGBM1G6D4EBAI4 |
8GB |
169Ball FBGA
12x18x1.3mm |
2008年9月 |
2008年4Q |
| THGBM1G5D2EBAI7 |
4GB |
169Ball FBGA
12x16x1.3mm |
2008年10月 |
2008年4Q |
| THGBM1G4D1EBAI7 |
2GB |
169Ball FBGA
12x16x1.3mm |
2008年4Q |
2009年1Q |
| THGBM1G3D1EBAI8 |
1GB |
153Ball FBGA
11.5x13x1.2mm |
2008年4Q |
2009年1Q |
eSD
| 型 名 |
容量 |
パッケージ |
サンプル出荷(CY) |
量産時期(CY) |
量産規模 |
| THGVS4G8D8EBAI2 |
32GB |
169Ball FBGA
14x18x1.4mm |
2008年 9月 |
2008年4Q |
トータル
50万個／月 |
| THGVS4G7D8EBAI0 |
16GB |
169Ball FBGA
12x18x1.4mm |
2008年 9月 |
2008年4Q |
| THGVS4G7D4EBAI2 |
16GB |
169Ball FBGA
14x18x1.4mm |
2008年4Q |
2008年4Q |
| THGVS4G6D4EBAI4 |
8GB |
169Ball FBGA
12x18x1.3mm |
2008年9月 |
2008年4Q |
| THGVS4G5D2EBAI4 |
4GB |
169Ball FBGA
12x18x1.3mm |
2008年4Q |
2008年4Q |
| THGVS4G4D1EBAI4 |
2GB |
169Ball FBGA
12x18x1.3mm |
2008年4Q |
2009年1Q |
| THGVS4G3D1EBAI8 |
1GB |
153Ball FBGA
11.5x13x1.2mm |
2009年1Q |
2009年1Q |
新製品の主な特長
1. |
JEDEC/MMCA Ver. 4.3規定やSDA Ver. 2.0規定に準拠したコントローラを内蔵しているため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの制御機能（書込ブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど）をユーザーが開発する必要がなく、開発負荷が軽減され、開発期間の短縮にもつながります。 |
| 2. |
用途に応じて、大容量32ギガバイトから比較的小容量の1ギガバイトまで幅広い製品をラインアップしています。最大容量の32ギガバイト品では、ＨＤ画質で4時間、ＳＤ画質で7.3時間、ワンセグでは170時間の映像データ＊4の記録が可能です。 |
| 3. |
先端43ｎｍのプロセス技術を用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリを採用しています。最大容量の32ギガバイト品では、43ｎｍプロセスによる32ギガビットチップを8枚積層しています。 |
| |
|
＊4 |
各平均ビットレートは、HD画質 約17Mbps、SD画質 約9Mbps、ワンセグ(QVGA) 約416Kbpsで計算。 |
新製品の主な仕様
e-MMC
| インターフェイス |
JEDEC/MMCA Ver. 4.3規定準拠HS-MMCインターフェイス |
| 電源電圧 |
2.7〜3.6V（メモリコア）／ 1.7V〜1.95V（インターフェイス） |
| バス幅 |
x1 / x4 / x8 |
| 書き込み速度*5 |
最小 10メガバイト/秒（シーケンシャルモード）
最小 18メガバイト/秒（シーケンシャル/インターリーブモード）*6 |
| 読み出し速度*5 |
最小 20メガバイト/秒（シーケンシャルモード） |
| 動作温度 |
-25℃〜+85℃ |
| パッケージ |
153Ball FBGA （+16サポートBall） |
＊5 |
ターゲット値 |
| ＊6 |
THGBM1G8D8EBAI2、およびTHGBM1G7D4EBAI2のみに適応 |
eSD
| インターフェイス |
SDA Ver. 2.0規定準拠SDインターフェイス |
| 電源電圧 |
2.7〜3.6V |
| バス幅 |
x1 / x4 |
| 書き込み速度 |
SDA規定 Class 4 |
| 読み出し速度 |
SDA規定 Class 4 |
| 動作温度 |
-25℃〜+85℃ |
| パッケージ |
153Ball FBGA （+16サポートBall） |
新製品についてのお客様から
のお問い合わせ先： |
セミコンダクター社
メモリ事業部
ファイルメモリ営業担当 |
03−3457−3420 |
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