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2値技術を用いたNAND型フラッシュメモリの新製品について

2値品で業界最大*1の16ギガビット*2チップを搭載
2008年10月28日
2値品で業界最大の16ギガビットチップを搭載したNAND型フラッシュメモリ

当社は、最先端43nm*3プロセスで2値(SLC)技術を用いたNAND型フラッシュメモリ16種類を製品化し、来年第1四半期(来年1-3月期)から順次量産を開始します。新製品は、512メガビットから64ギガビットまでをラインアップし、16ギガビットから64ギガビットまでの大容量3製品については、2値品で業界最大の1 チップあたり16ギガビットのチップを搭載しています。

SLCのNAND型フラッシュメモリは、一般的に書き込み回数が多く、書き込みや読み込み速度が速く、信頼性に優れています。当社はこれまでもSLC NAND型フラッシュメモリを一部展開していますが、今回新たに最先端43nmプロセスを適用したSLCのNAND型フラッシュメモリの新製品を小容量から大容量まで展開することにより、組み込み機器などに最適なストレージメモリを提供します。

今後、SLC製品においてもMLC製品同様、幅広いラインアップを用意することにより、市場でのシェアアップを図るとともに、NAND型フラッシュメモリ市場の拡大を目指していきます。

*1
2008年10月28日現在
*2
8ビット=1バイト
*3
nm:ナノメートル。10-9m

製品化の背景と狙い

昨今、NAND型フラッシュメモリを搭載するアプリケーションの多様化が進む中、携帯電話や薄型テレビ、OA機器、サーバーなどの分野では、高性能で信頼性の高いSLCのNAND型フラッシュメモリが必要とされています。従来当社は、メモリセル一つに2つのデータを書き込むことができる多値(MLC)技術を用いたNAND型フラッシュメモリの開発を加速することによりメモリカードや音楽プレーヤー向けなどに大容量の製品を提供してきました。今回、当社の高い技術力を生かしたSLCのNAND型フラッシュメモリも新たにラインアップすることで、高信頼性が求められる市場の要求に応え、NAND型フラッシュメモリ事業全体の拡大に努めていきます。

新製品の概要

形名 容量 パッケージ ページ 量産時期
TH58NVG6S2EBA20 64ギガビット BGA ラージ
ブロック
2009年第1四半期
TH58NVG5S2EBA20 32ギガビット BGA 2009年第1四半期
TC58NVG4S2EBA00 16ギガビット BGA 2009年第1四半期
TC58NVG3S2ETA00 8ギガビット TSOP I 2009年第2四半期
TC58NVG2S3ETA00 4ギガビット TSOP I 2009年第2四半期
TC58NVG2S3EBAJX BGA 2009年第2四半期
TC58NVG1S3ETA00 2ギガビット TSOP I 2009年第1四半期
TC58NVG1S3EBAJX BGA 2009年第2四半期
TC58NVG0S3ETA00 1ギガビット TSOP I ラージ
ブロック
2009年第2四半期
TC58NVG0S3EBAJ5 BGA
TC58DVG02A5TA00 TSOP I スモール
ブロック
2009年第3四半期
TC58DVG02A5BAJ5 BGA
TC58NVM9S3ETA00 512メガビット TSOP I ラージ
ブロック
2009年第2四半期
TC58NVM9S3EBAJW BGA
TC58DVM92A5TA00 TSOP I スモール
ブロック
2009年第3四半期
TC58DVM92A5BAJW BGA

新製品の主な特長

  1. 最先端43nmプロセスと素子当たりのデータ保存量を高める技術の採用などにより1チップあたりの容量を56nmのSLC製品の2倍にしています。これにより、より多くの高パフォーマンス、高信頼性が求められる機器に搭載が可能となります。
  2. MLCのNAND型フラッシュメモリと比べ、書き込み速度が約2.5倍となっています。
    * 43nmプロセスの16ギガビットのSLC製品とMLC製品との比較

新製品の主な仕様

<16ギガビット品>

形名 TC58NVG4S2EBA00
容量 16ギガビット
電源電圧 3.3V
プログラム時間 400マイクロ秒/ページ(Typ.)
消去時間 4ミリ秒/ブロック(Typ.)
アクセス時間 40マイクロ秒(1st)
25ナノ秒(シリアル)
外形寸法 14mm x 18mm

新製品についてのお客様からのお問い合わせ先:

メモリ営業統括部 ファイルメモリ営業部
TEL : 03(3457)3420
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