ニュースリリース

最先端プロセスを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのサンプル出荷開始について

　当社は、最先端３２ｎｍ^注１プロセスを用い、１チップで世界最大^注２の３２ギガビット（４ギガバイト）の大容量を実現するＮＡＮＤ型フラッシュメモリを製品化し、本日からサンプル出荷を始めます。出荷当初はメモリカードやＵＳＢの生産に寄与させ、順次、組み込み用途製品等への展開を進めていきます。また、１６ギガビット（２ギガバイト）品も７月から同様にサンプル出荷を開始する予定です。３２ｎｍのデザインルールを適用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリ製品を出荷するのは世界初^注２となります。

　当社は、現在４３ｎｍプロセスを適用した３２ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを供給しており、同チップを８段積層しパッケージに封入した３２ギガバイトの製品で、市場の大容量化ニーズに応えてきました。今回出荷を開始する３２ｎｍプロセスを適用した３２ギガビット品は、最先端の微細化技術を駆使し、チップサイズを小さくすることで、生産効率を向上するだけでなく、小型パッケージでの大容量製品ラインアップを充実させることを可能とします。

　近年、携帯電話などの携帯機器で高画質動画を保存するニーズが増加しており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリを中心とする記録媒体の更なる大容量化、小型化が求められています。当社は、他社に先駆けて３２ｎｍプロセスを適用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの製品化を開始し、４３ｎｍ製品からの切り替えを推進することで、市場の要求に応え、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ市場の拡大を牽引していくとともに、市場におけるリーダーシップを堅持していきます。

　なお、本日製品サンプル出荷を開始する３２ギガビット品については、当初計画から２ヶ月前倒しを行い、２００９年７月から四日市工場での量産を開始します。また、１６ギガビット品は２００９年度第３四半期（１０－１２月）から量産を開始する予定です。

　今後も当社は、メモリ事業の微細化・多値化の新技術開発を継続するとともに、生産効率改善を進めることにより、競争力強化に向けた施策を積極的に推進していきます。

注１　ｎｍ　：ナノメートル。１０^－9ｍ　

注２　当社調べ（２００９年４月現在）