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NECエレクトロニクスと東芝、IBMとの半導体技術開発に関する提携関係を拡大

IBMのテクノロジー・アライアンスの28nm低消費電力プロセス技術開発プログラムに参加
2009年06月18日

IBMコーポレーション
NECエレクトロニクス株式会社
株式会社 東芝

 

 IBM(本社:米国ニューヨーク州アーモンク、会長:サミュエル・J・パルミサーノ、NYSE:IBM)、NECエレクトロニクス株式会社(社長:中島俊雄、本社:神奈川県川崎市、以下、NECエレクトロニクス)および株式会社東芝(社長:西田厚聰、本社:東京都港区、以下、東芝)は、このたび民生機器向け28ナノメートル(nm)半導体プロセス技術の共同開発を行うことに合意しました。

 NECエレクトロニクスと東芝は、IBMのテクノロジー・アライアンスに参加し、high-kメタルゲートを採用した28nmの低消費電力バルクCMOSプロセス技術を共同開発します。共同開発は、米国ニューヨーク州イースト・フィッシュキルにあるIBMの施設にて行われます。

 低消費電力版28nmプロセス技術は、次世代モバイル・コミュニケーション・デバイスや様々なコンシューマー向け電子機器の処理速度の向上および低消費電力化に貢献します。

 今回の28nmプロセス技術の共同開発は、IBMのテクノロジー・アライアンスによるhigh-kメタルゲートを採用した32nmプロセス技術の共同開発の成果に続くものです。お客様は、high-kメタルゲートを採用した32nmプロセスにて製品の設計をはじめ、わずかなデザイン変更で28nmプロセス技術に移行できるメリットを活かし、より早く市場に製品を投入することができます。

 東芝は2007年12月から、NECエレクトロニクスは2008年9月からIBMのバルク半導体プロセス開発アライアンスに参加しています。

 IBMのテクノロジー・アライアンスには、チャータード・セミコンダクター、GLOBALFOUNDRIES、インフィニオンテクノロジーズ、NECエレクトロニクス、サムスン電子、STマイクロエレクトロニクス、東芝が参加しています。

 

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