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NAND型フラッシュメモリのインターフェース仕様の標準化推進について

2010年07月22日

 当社は、サムスン電子株式会社と、高速データ転送速度を実現するNAND型フラッシュメモリのインターフェース仕様「Toggle DDR 2.0」の標準化を推進します。Toggle DDR 2.0は最大で毎秒400メガビットのデータ転送を可能とし、現在、一般的に普及している毎秒40メガビットのNAND型フラッシュメモリと比較して約10倍の高速化を実現します。

 NAND型フラッシュメモリは、携帯電話、スマートフォン、デジタルビデオカメラ、携帯音楽プレーヤーなどのモバイル機器やPC、さらにはサーバーや大容量ストレージシステムなどさまざまな製品に採用されています。近年、扱うデータ量の増加につれて、より高速なデータ転送が求められています。Toggle DDR 2.0は、基準信号の立ち上がりと立ち下がりの両方を利用したDDR(Double Data Rate)をベースとしたインターフェース技術であり、信号ノイズ対策などの機能追加により信号環境を向上させ、より高速なデータ転送を可能にします。

 両社は、NAND型フラッシュメモリ製品のインターフェース仕様を共通化することで、より広範な調達先の確保を目指すモバイル機器メーカーなどの要望に応えます。

 あわせて、両社はToggle DDR 2.0の普及を促進するため、JEDEC Solid State Technology Association(JEDEC半導体技術協会) への提案活動を通じて、標準化に向けた取り組みを強化します。

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