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最先端プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの開発について

19nmプロセスを用いた64ギガビットの大容量品を開発
2011年04月21日

 当社は、世界最小の19nm注1プロセスを用いた64ギガビット(8ギガバイト)の大容量NAND型フラッシュメモリを開発し、今月末からサンプル出荷を開始します。2011年第3四半期(2011年7-9月期)から量産出荷を開始する予定です。また、今後、3ビット/セルの製品もラインアップに加えていきます。

 今回開発した64ギガビット品は、世界で初めて注210nm台のプロセスを採用し、従来品よりもチップサイズを縮小しています。スマートフォンやタブレットPCで採用されている小型のパッケージ内に16段までの積層が可能となり、より大容量の製品の実現が可能です。インターフェース仕様にはNAND型フラッシュメモリのToggle DDR2.0仕様を採用しデータの高速転送を実現しています。

 近年、スマートフォンやタブレットPCなどの携帯機器やSSDの普及が進み、NAND型フラッシュメモリの大容量化、高性能化に対する要求は益々高まっています。当社は、NAND型フラッシュメモリの微細化、高速化を推進することで、市場の要求に応え、拡大する需要に対応していくとともに、NAND型フラッシュメモリ市場におけるリーダーシップを堅持していきます。

注1 nm :ナノメートル。10-9
注2 当社調べ(2011年4月現在)

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