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高感度BSI型CMOSイメージセンサの新製品の発売について

高機能携帯電話向けに画素サイズ1.12マイクロメートルの製品を開発
2011年07月07日

CMOSイメージセンサ新製品

 当社はCMOSイメージセンサの新製品として、携帯電話やスマートフォン向けに、画素サイズが業界最小クラス1.12マイクロメートルのBSI(裏面照射)型CMOSイメージセンサを開発しました。7月下旬からサンプル出荷を開始し、2011年末から量産を行う計画です。

 近年、スマートフォンなどの小型化が進み、解像度も5メガピクセルから8メガピクセルと高画質化が進んでいます。新製品の画像素子構造であるBSIは、受光部が配線層で減衰しないよう裏面から光を入れる構造で、CMOSセンサの画素の小型化に伴い感度が低下する課題を解決するものです。従来構造に比べ感度を高められることから動画撮影にも適しており、デジタルカメラや携帯電話、スマートフォン、タブレットPCなどで利用される高画質センサにおいて、今後、BSI型CMOSイメージセンサが主流となることが見込まれます。

 そこで当社は、携帯電話やスマートフォンなどが小型化する流れに応じた1.12マイクロメートルの小型タイプのBSI型CMOSイメージセンサを開発しラインナップに追加することで、BSI市場に本格参入します。

 当社は、CMOSセンサ製品をアナログ・イメージングIC事業の注力分野の一つと位置づけており、今後も、小型化、高画質化といった市場のニーズに対応しながら、BSI型のラインナップ拡充を図り、同事業を積極的に強化していきます。

新製品の主な仕様

光学フォーマット:1/4インチ
画素数:8.08メガピクセル
画素サイズ:1.12マイクロメートル
フレームレート:30フレーム/秒(8メガピクセル)
                        60フレーム/秒(1080P、720Pに対応)

 

新製品についてのお客様からのお問い合わせ先:

セミコンダクター&ストレージ社 アナログ・イメージングIC営業推進部
TEL : 044(548)2825
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