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「nano tech 2013 第12回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」への出展について

2013年01月25日

  当社は、1月30日から2月1日までの3日間、東京ビッグサイトで開催されるナノテクノロジーに関する世界最大の展示会「nano tech 2013 第12回 国際ナノテクノロジー総合展・技術会議」に出展します。

 当社は、今後の成長事業としてスマートコミュニティ事業をグローバルに展開しています。今回の展示会において当社は、東芝グループが提案するスマートコミュニティを実現するための2つのコンセプトである「トータル・ストレージ・イノベーション」、「トータル・エネルギー・イノベーション」に貢献する次世代のナノテクノロジーを展示します。

 展示では、「トータル・ストレージ・イノベーション」「先端基盤技術」「トータル・エネルギー・イノベーション」の3つのコーナーに分けて、14テーマの展示を行い、東芝グループの持つ幅広いナノテクノロジーを紹介します。

展示内容

1.トータル・ストレージ・イノベーション

(1)  NAND型フラッシュメモリ
最先端の19nmNAND微細化プロセス技術およびハイブリッドドライブ(NAND型フラッシュメモリ搭載HDD)のスピード比較デモンストレーションを実施

(2)  HDD用Trilayer(トライレイヤー)構造ヘッド
大容量化に向けたHDD再生ヘッドのナノオーダーの構造・磁性膜材料設計技術

(3)  最先端マスク描画技術
次世代半導体技術を支える最先端(hp22nmデバイス)の電子ビームマスク描画技術

(4)  自己組織化リソグラフィ技術
塗布・アニール・現像のみでパターニング可能な10nmノード世代半導体向け低コスト微細パターン形成技術

(5)  ナノスケール先端分析技術
半導体製品の信頼性を支える原子レベルのデバイス構造解析技術

(6)  グラフェン複合透明導電フィルム
光電子デバイスの軽量・柔軟化に向けた透明導電フィルムを実現するための、グラフェン/銀ナノワイヤ/ポリマー積層膜形成技術

2.先端基盤技術

(1)  高熱伝導性窒化物セラミックス(AlN基板、SiN基板)
電子部品・モジュールの省エネ・小型・高性能化を実現する高熱伝導性・高絶縁特性・高強度セラミックス基板(結晶粒界制御)

(2)  ナノ構造制御発光材料(S-サイアイロン蛍光体/GOSシンチレータ)
LED照明やX線検査装置など、用途に応じた発光の制御を可能にする蛍光体材料技術

(3)  新機能タングステン材料(光触媒スラリー/トリアフリー電極)
光触媒や熱電子電極などの新/高機能の発現を可能にするタングステン材料技術

3.トータル・エネルギー・イノベーション

(1)  有機薄膜太陽電池
室内光に適した有機薄膜太陽電池で世界最高レベルの変換効率(5cm角サブモジュール)を実現する有機薄膜のナノ構造制御技術

(2)  Dy(ジスプロシウム)フリーのモータ用磁石
低資源リスクで高効率なモータの実現に向けた、磁石材料のナノスケール組成制御技術

(3)車載用/定置用二次電池SCiBTM
高入出力、低抵抗、長寿命な高性能二次電池を実現するナノ複合LTO電極技術、および応用製品

(4)  気象レーダ向け超伝導フィルタ
ゲリラ豪雨の観測が可能な気象レーダ向け超伝導フィルタの界面ナノ領域制御技術

(5)  次世代照明(OLED照明、LD励起光源)
生活に溶け込むあかりを実現するOLED照明のナノオーダーの有機薄膜構造制御技術およびLD励起光源

 

 

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