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最先端プロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの量産について

19nm第二世代プロセスを用いた64ギガビットの新製品
2013年05月21日
NAND型フラッシュメモリの写真

 当社は、19nm注1第二世代プロセスを用いた2ビット/セルの64ギガビット(8ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリを開発し、今月から量産を開始します。

 新製品は、19nm第二世代プロセスを採用するとともに周辺回路の工夫により、2ビット/セルの64ギガビットのNAND型フラッシュメモリとしては世界最小注2の94平方ミリメートルというチップサイズを達成しました。また、当社独自の高速書き込み回路方式により、2ビット/セル製品としては世界最速クラス注2の25メガバイト/秒の書き込み速度を実現します。

 また、当社は本プロセスを採用した3ビット/セル製品の開発も行っており、2013年度第2四半期に量産を開始する予定です。eMMC対応のコントローラを新開発することで、スマートフォンやタブレットなどにも3ビット/セル製品を展開していく予定です。また、SSDへの対応も今後進めることで、ノートPCなどへの搭載も目指します。

 近年、NAND型フラッシュメモリはメモリカード、スマートフォン、タブレット、薄型PCなどのコンシューマー製品やデータセンター向けのエンタープライズSSDなど多様な機器に搭載されています。当社は今後も、多種多様なユーザーニーズに応えるべく、積極的に製品開発を強化していき市場を牽引していきます。

注1
nm:ナノメートル。10-9
注2
当社調べ。2013年5月21日現在。
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