Japan

プレスリリース

プレスリリースに掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。

世界初、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの量産について

2014年04月23日
NAND型フラッシュメモリの写真

 当社は、世界で初めて注115nmプロセス注2を用いた2ビット/セルの128ギガビット(16ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリを開発しました。今月末から四日市工場の第5製造棟で、現行世代の19nm第二世代品から切り替えて順次量産していきます。現在建設中の第5製造棟(第2期分)の完成後、今年の秋には同棟でも製造を行います。

 新製品は、世界最先端の15nmプロセスを適用するとともに周辺回路の工夫により、世界最小クラスのチップサイズを実現しました。19nm第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同等、また、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さである533メガビット/秒を実現しています。

 当社は本プロセスを採用した3ビット/セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発している高性能NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定です。また、SSDの開発も進め、ノートPCなどへの搭載を図ります。

 当社は、ロードマップ通り微細化を進めており、今後も積極的に最先端プロセスに切り替えることで、生産性を高め、競争力強化につなげていきます。また、スマートフォン、タブレット、薄型PC、メモリカードなどのコンシューマ製品に加え、高い信頼性が求められるデータセンタ向けのエンタープライズSSDなど多種多様なユーザニーズに対応するため、幅広い用途に向けた製品開発を進め、市場を牽引していきます。

注1
当社調べ。2014年4月23日現在。
注2
nm:ナノメートル。109
カテゴリー

プレスリリースに掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。