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韓国SKハイニックス社との訴訟における和解とメモリ事業における協業拡大について

2014年12月19日

 当社は、NAND型フラッシュメモリの技術に関する機密情報について、韓国SKハイニックス社がこれを不正に取得・使用したとして、不正競争防止法に基づく損害賠償等を求める民事訴訟を本年3月13日に東京地裁に提起しましたが、本日、同社と和解に合意しました。本合意に基づき、当社はSKハイニックス社から和解金の支払いを受けます。

 当社は、今後も事業競争力の源泉である技術の先進性を確保していくため、最善の情報漏洩防止体制の構築を図るとともに、不正競争行為に対しては断固たる措置を講じる方針です。

 一方、当社とSKハイニックス社は、2011年から次世代メモリであるMRAMを共同で開発するなど従来から提携・取引関係にあります。この和解を機に、両社は新たな協業関係の構築を目的に、DRAM供給契約及び、特許クロスライセンス契約期間の延長、次世代露光装置候補の一つであるナノインプリントリソグラフィ技術の共同開発について合意しました。これにより、当社のメモリ事業の更なる強化を図ります。

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