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世界初、48層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ(BiCS)の製品化について

2015年03月26日
東芝3次元フラッシュメモリBiCSの画像

 当社は、世界で初めて注148層積層プロセスを用いた128ギガビット(16ギガバイト)の2ビット/セル(MLC) 3次元フラッシュメモリ(BiCS)注2を開発し、本日からサンプル出荷を開始します。
本製品は、SSDを中心に市場ニーズに合わせて展開する予定です。

 新製品は、世界最先端の48層積層プロセスを用いたフラッシュメモリで、現行製品と比べて書き込み速度の高速化、書き換え寿命などの信頼性向上を実現しています。

 当社は、2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表注3して以来、生産性の最適化を含めて開発してきました。スマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンタ向けエンタープライズSSDなどで、今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場ニーズに応えるため、フラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していきます。

 なお、BiCSは2016年前半に竣工予定の当社四日市工場新・第2製造棟でも生産を行う予定です。

注1
当社調べ
注2
従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造。
注3
2007年6月12日当社発表資料
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