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48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」の製品化について

2015年08月04日

48層積層プロセスを用いた世界初の256ギガビット3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM

 当社は、48層積層プロセスを用いた世界初注1の256ギガビット(32ギガバイト)の3ビット/セル(TLC) 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM注2を開発し、9月からサンプル出荷を開始します。本製品は、SSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどのコンシューマ製品やデータセンター向けエンタープライズSSDなど市場のニーズに合わせて展開していく予定です。

 本製品では、世界最先端の48層積層プロセスを用い、回路技術やプロセスを最適化することで、現行の2次元NAND型フラッシュメモリと比べて大容量化したほか、書き込み速度を高速化するとともに、書き換え寿命も長寿命化するなどの信頼性も向上しています。

 当社は、2007年に3次元積層構造を用いたフラッシュメモリを世界で初めて公表注3して以来、生産性の最適化を含めて開発してきました。今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場ニーズに応えるため、フラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していきます。

 なお、本製品は、当社四日市工場の第5棟で製造を開始し、2016年前半に竣工予定の新・第2製造棟でも製造する予定です。

 

注1
当社調べ
注2
従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造。
注3
2007年6月12日当社発表資料
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BiCS FLASHTMは、株式会社東芝の商標です。
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