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半導体新製造棟の建設について

2016年03月17日

 当社は、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」の生産拡大を目的として、四日市工場(三重県四日市市)に隣接する土地に、新たな製造棟を建設する計画と生産設備への投資計画について、本日の取締役会において承認しましたのでお知らせします。

1.概要と目的
 フラッシュメモリは、スマートフォンなどで多く使われており、エンタープライズ用サーバやデータセンタ向けを中心に、今後も需要拡大が見込まれます。四日市工場では、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」の製造にあたり、2次元NAND型フラッシュメモリと共通の既存の製造工程を効率的に活用するため、これらの工程に3次元化にあたっての専用工程を組み合わせる予定です。同工場において、3次元専用工程のための製造棟として、新第2製造棟(建屋全体の竣工は2016年度前半を予定)を建設していますが、さらに将来の需要拡大に対応するためには、新第2製造棟とは別に、新たに3次元専用工程の製造棟を建設する必要があります。

 そのため本日の取締役会で、新たな製造棟の建設計画と生産設備への投資計画が承認されました。これらの計画にかかる当社の費用は、2016年度以降3年間を目途に約3,600億円を見込んでいます。実際の建設時期、生産能力、生産設備への投資など詳細な計画については、市場動向を踏まえ、2016年度中に決定する予定です。

 米国サンディスク社との共同投資に関する交渉は、今後進める予定です。

 今後も当社は、メモリ事業を注力事業と位置付け、必要な投資の実施など競争力強化に向けた取り組みを進めます。

2.今後の見通し 
 上記施策の詳細につきましては市場動向を踏まえ、2016年度中に決定する予定です。なお、本件は2016年4月以降の実行を予定していることから、2016年2月4日に公表しました2015年度(2016年3月期)の通期連結業績予想へ与える影響はありません。

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