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四日市工場 半導体新製造棟の建設開始について

開発センター(仮称)を併設し、工場内の開発部門集約でフラッシュメモリの開発を加速
2016年11月08日

 当社は、本年3月に決定した3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM注1の生産拡大を目的とした四日市工場(三重県四日市市)の新製造棟建設について、このたび、2017年2月に着工することを決定しました。新製造棟は、3次元フラッシュメモリ固有の製造工程を行う予定で、市場動向を見極めながら最適な生産スペースを確保するという観点から、四日市工場第5製造棟と同様に2期に分けて建設することとし、今回は第1期分を建設する予定です。なお新製造棟第1期分の竣工は、2018年夏の予定です。
 また、同工場内に分散していた開発部門を集結させ、3次元フラッシュメモリや新規メモリの開発を加速するための開発センターを新製造棟の隣接地に建設します。

 新製造棟における具体的な設備導入・生産開始の時期、生産能力、生産計画などは、市場動向を踏まえ、今後決定していきます。米国ウエスタンデジタル社との協議の上、共同投資を今後進める予定です。

 新製造棟は、地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、LED照明の全面展開や最新の省エネ製造設備の導入など環境面にも配慮した工場とする計画です。また、人工知能(AI)を活用した生産システムの導入などにより生産性を向上させます。

 今後も当社は、市場動向にあわせたタイムリーな設備投資や研究開発など、メモリ事業の競争力強化に向けた取り組みを積極的に展開していきます。

注1
従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造。
* BiCS FLASHTMは、株式会社東芝の商標です。
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