経営全般 ：研究開発・技術
グループ会社のプレスリリースのタイトルをクリックすると、各社ウェブサイトに掲載されているプレスリリースが表示されます。
- 2010年02月15日
- 光リソグラフィの限界性能を引き出すマスクパターン最適化技術を開発
- 2010年02月08日
- 低電圧ＬＳＩを実現するＳＲＡＭ回路技術の開発について
- 2010年01月07日
- 「2010 International CES」の出展について
- 2009年12月22日
- ソフトウェアの信頼性と安全性向上を目指す ディペンダブル・ソフトウェア・フォーラムの発足について
- 2009年12月09日
- ２０ｎｍ世代ＬＳＩ向け高性能ＣＭＯＳ素子技術の開発について
- 2009年12月08日
- スピンＭＯＳトランジスタの基本技術を開発
- 2009年11月17日
- 次世代ＥＵＶ露光装置向け低分子フォトレジストの開発について
- 2009年11月02日
- さまざまなシーンで利用できるエリア限定ワンセグ放送システムを開発
- 2009年10月27日
- 情報管理の新たな形である、情報統御技術「inforester®」を開発 （東芝ソリューション株式会社）
- 2009年09月29日
- 二酸化炭素分離・回収技術のパイロットプラント竣工について
- 2009年07月07日
- 当社が方式提案した「ACBio」がオンライン生体認証に関する世界初のISO国際標準規格に採用 （東芝ソリューション株式会社）
- 2009年06月22日
- 東芝グループの機械翻訳技術が 第四回「アジア太平洋機械翻訳協会(AAMT) 長尾賞」を受賞
- 2009年06月18日
- NECエレクトロニクスと東芝、IBMとの半導体技術開発に関する提携関係を拡大
- 2009年06月15日
- 16nm世代以降のLSIに適用可能なトランジスタ絶縁膜積層技術を開発
- 2009年03月16日
- 業界初注１の補助スピーカを用いた「音忠実再生技術」の開発について
- 2009年02月26日
- 水銀フリーセラミックメタルハライドランプの開発について （東芝ライテック株式会社）
- 2009年02月11日
- 多値技術を用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発について
- 2009年02月09日
- 世界最大容量、世界最速の不揮発性ＲＡＭの開発について
- 2009年01月13日
- 世界最高水準を実現した「高精度人物検出技術」の開発について
- 2009年01月07日
- 「2009 International CES」の出展について
- 2008年12月17日
- 高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲートを用いた世界最小の立体構造トランジスタSRAMセルを実現
- 2008年12月03日
- 二酸化炭素分離・回収技術のパイロットプラント建設について
- 320列面検出器CT技術を用いた国際的多施設合同臨床試験：「CorE320」がスタート （東芝メディカルシステムズ株式会社）
- 2008年12月01日
- 当社発電所向け監視制御システムが日本企業で初の「プロダクトラインの殿堂」に登録
- 2008年11月21日
- 東芝ソリューション、世界最速の「高速匿名認証技術」を開発 （東芝ソリューション株式会社）
- 2008年10月09日
- 無条件に安全な量子暗号鍵配信で世界最速を達成
- 2008年10月08日
- PC仮想化エンジン「vRAS」を開発
