事業分野 ：電子デバイス
グループ会社のプレスリリースのタイトルをクリックすると、各社ウェブサイトに掲載されているプレスリリースが表示されます。
- 2010年02月15日
- 光リソグラフィの限界性能を引き出すマスクパターン最適化技術を開発
- 2010年02月12日
- 携帯電話向けフルＨＤ対応アプリケーションプロセッサのプラットフォームを開発
- 2010年02月10日
- 中国における半導体後工程合弁事業会社の概要について
- 2010年02月08日
- 低電圧ＬＳＩを実現するＳＲＡＭ回路技術の開発について
- 2010年02月03日
- 半導体メモリ後工程部門の開発力強化について
- 2010年01月12日
- 浜岡東芝エレクトロニクスに関する一部報道について
- 2010年01月07日
- ３２ｎｍプロセスの多値ＮＡＮＤを採用したＳＳＤのラインアップ拡充について
- 2009年12月15日
- 業界最大注１ ６４ギガバイトの組込み式ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ新製品の発売について
- 2009年12月09日
- ２０ｎｍ世代ＬＳＩ向け高性能ＣＭＯＳ素子技術の開発について
- 2009年12月08日
- スピンＭＯＳトランジスタの基本技術を開発
- 2009年11月17日
- 次世代ＥＵＶ露光装置向け低分子フォトレジストの開発について
- 2009年10月27日
- 高感度ＢＳＩ型のＣＭＯＳイメージセンサーを製品化
- 2009年10月23日
- 半導体後工程の合弁事業化について
- 2009年10月22日
- モバイル燃料電池「DynarioTM（ディナリオ）」の発売について
- 2009年09月22日
- 業界初の３２ｎｍプロセス多値ＮＡＮＤを採用したＳＳＤの製品化について
- 2009年09月16日
- 合弁事業開始予定日変更のお知らせ
- 2009年08月26日
- 10万時間寿命ＬＥＤバックライトを使用した産業用液晶モジュール製品ラインアップ （東芝モバイルディスプレイ株式会社）
- 2009年08月05日
- 中国液晶製造会社への出資について （東芝モバイルディスプレイ株式会社）
- 2009年08月04日
- 世界初のＳＤＸＣメモリカードの発売について
- 2009年07月15日
- 姫路地区拠点再編による液晶事業構造改革の取り組みについて （東芝モバイルディスプレイ株式会社）
- 2009年06月29日
- モバイル型全自動生物剤検知システムの販売開始について
- 2009年06月18日
- NECエレクトロニクスと東芝、IBMとの半導体技術開発に関する提携関係を拡大
- 2009年06月15日
- 16nm世代以降のLSIに適用可能なトランジスタ絶縁膜積層技術を開発
- 2009年04月28日
- システムＬＳＩ後工程事業における協業体制の構築について
- 2009年04月27日
- 最先端プロセスを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリのサンプル出荷開始について
- 2009年04月24日
- ２００９年度 第一四半期における半導体事業拠点の稼動調整実施予定について
- 2009年04月01日
- 東芝による東芝松下ディスプレイテクノロジーの株式取得について
- 2009年02月11日
- 多値技術を用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発について
- 2009年02月09日
- 世界最大容量、世界最速の不揮発性ＲＡＭの開発について
- 2009年01月07日
- データの高速処理を可能としたオーディオ制御マイコンについて
- 2008年12月18日
- 業界最大級の５１２ギガバイトＳＳＤの製品化について
- 32nm世代システムLSIのコスト削減を実現するプラットフォーム技術の開発について
- 40nm世代システムLSI向け低消費電力プラットフォーム技術の開発について
- 2008年12月17日
- 高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲートを用いた世界最小の立体構造トランジスタSRAMセルを実現
- 2008年12月16日
- 四日市工場におけるＮＡＮＤ型フラッシュメモリの生産調整について
- 2008年12月04日
- 実験動物の微生物モニタリング用DNAチップキット「モニジーンＴＭ」の発売開始について
- 2008年11月27日
- EDR規格準拠のBluetoothTMワンチップLSIの発売について
- 2008年11月26日
- 大容量１６ＧＢ ｍｉｃｒｏＳＤＨＣメモリカードなどの発売について
- 2008年10月28日
- 2値技術を用いたNAND型フラッシュメモリの新製品について
- 2008年10月20日
- NAND型フラッシュメモリの生産能力の強化について
