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LSI・ストレージ

高速MRAM技術

2014年 研究開発センター パンフレット

概要

独自の磁性素子と新しい高速メモリ回路を組み合わせた高速MRAMを、世界で初めて開発しました。キャッシュメモリのSRAMをこの高速MRAMで置き換え、消費電力を大幅に削減する事を目指します。

25nm-MTJ素子断面
25nm-MTJ素子断面

※本研究の一部は、NEDO(独立行政法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構)の委託を受けて実施。

関連情報

2015.03 [ニュースリリース]
新方式磁性体メモリ素子を用いた世界最高性能のプロセッサ用不揮発メモリ回路を開発
2014.06 [ニュースリリース]
高性能プロセッサ向けキャッシュメモリで世界最高の電力性能を実現する新方式磁性体メモリSTT-MRAM回路を開発
2014    [論文]
[Intermag2014] Low-Current High-Speed Spin-Transfer Switching in a Perpendicular Magnetic Tunnel Junction for Cache Memory in Mobile Processors 
2013.06 [東芝レビュー]
低消費電力のキャッシュメモリを可能にした垂直STT-MRAM(410KB/PDFデータ)
2012.12 [ニュースリリース]
世界最高の低消費電力性能を実現した新方式の不揮発性磁性体メモリ(STT-MRAM)を開発
2012    [論文]
[IEDM2012] Impact of Ultra Low Power and Fast Write Operation of Advance Perpendicular MTJ on Power Reduction for High-Performance Mobile CPU

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