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LSI・ストレージ

半導体シミュレーション技術

2014年 研究開発センター パンフレット

概要

微細トランジスタの挙動を原子レベルで解析し、その性能や信頼性を予測します。
第一原理計算やTCADデバイスシミュレーションなどの技術を駆使し、新しいデバイスの設計・最適化を行っています。

微細トランジスタのシミュレーション
微細トランジスタのシミュレーション

関連情報

2013    [論文]
“Theoretical prediction of universal curves for carrier transport in Si/SiO2(100)  interfaces”, J. Appl. Phys. 114, 053713 (2013)

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