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技術情報

プレスリリース

世界最高出力のKu帯パワーFETの開発について
2007.10.09
世界最高出力のKu帯パワーFETの開発について
当社は、Ku帯(14.5GHz)に対応した高周波増幅素子として世界最高の出力65.4Wを実現した窒化ガリウム・パワーFETを開発しました。 ハイビジョン放送データなどの大容量通信に対応した衛星通信基地局などへの採用を見込んでおり、本年中にサンプル出荷を開始し、来年3月末までに量産を開始する予定です・・・ 記事を見る
X帯で世界最高出力の窒化ガリウム・パワーFETの開発について
2006.11.13
X帯で世界最高出力の窒化ガリウム・パワーFETの開発について
当社は、衛星通信基地局やレーダーなどで用いられるマイクロ波注3固体化増幅器向けの高周波・高出力素子として、9.5GHz帯で世界最高出力の81.3Wの出力を達成した窒化ガリウム(GaN)・パワーFETを開発しました。これにより、増幅器の高出力化、固体化、小型化が可能となります・・・ 記事を見る
世界最高出力の窒化ガリウム・パワーFET(電界効果トランジスタ)の開発について
2005.09.12
世界最高出力の窒化ガリウム・パワーFET(電界効果トランジスタ)の開発について
当社は、基幹通信基地局や衛星通信基地局などで用いられるマイクロ波通信用途向けの高周波・ 高出力素子として、6GHz帯で世界最高出力174Wを達成した窒化ガリウム・パワーFET (GaN Power Field Effect Transistor)を開発しました・・・ 記事を見る

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雑誌・書籍などへの掲載記事

2014.10.31
Asia Pacific Microwave Conference 2014 (APMC), November '14
GaN HEMTs are Still Ongoing( PDF形式/245KB、 別ウインドウで開きます)
2014.10.31
European Microwave Conference 2014 (EuMC 2014), November '14
A 20-Watt Ka-Band GaN High Power Amplifier MMIC( PDF形式/254KB、 別ウインドウで開きます)
2011.07.01
International Microwave Symposium 2011 (IMS2011), June '11
GaN HEMTs with Pre-match for Ka-Band with 18W( PDF形式/147KB、 別ウインドウで開きます)
2011.06.01
Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference (CS MANTECH2011), May '11
A Difference of Thermal Design Between GaN and GaAs( PDF形式/1.93MB、 別ウインドウで開きます。社外ページへ移動します。)
Effects of Via Layout on AlGaN/GaN HEMTs at Ka-band( PDF形式/3.58MB、 別ウインドウで開きます。社外ページへ移動します。)
2010.11.01
Compound Semiconductor IC Symposium 2010 (CSICS2010), Octorber '10
GaN HEMTs with Pre-match for Ka-Band with 20W( PDF形式/97KB、 別ウインドウで開きます)
2009.09.01
Microwaves &RF, August '09
Sorting Through News From The Boston MTT-S 別ウインドウで開きます。社外ページへ移動します。)
2009.07.01
International Microwave Symposium 2009 (IMS2009), June '09
Ku-Band AlGaN/GaN-HEMT with over 30% of PAE( PDF形式/290KB、 別ウインドウで開きます)
Ku-Band, 120-W Power Amplifier Using Gallium Nitride FETs( PDF形式/2.04MB、 別ウインドウで開きます)
2009.06.01
Compound Semiconductor Manufacturing Technology Conference (CS MANTECH2009), May '09
Influence of SiC Substrate Misorientation on AlGaN/GaN HEMTs Performance
( PDF形式/536KB、 別ウインドウで開きます。社外ページへ移動します。)
2009.06.01
Microwave Journal, May '09
Development Report of Power FETs for Solid-state Power Amplifiers from GaAs to GaN Devices
( 別ウインドウで開きます。社外ページへ移動します。)

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