ULSI製造工程における化学的機械研磨
西岡 岳 間瀬 康一 竪山 佳邦
要旨
ULSIの製造工程において，リソグラフィーの許容焦点深度は，
素子の高集積化に伴い厳しくなる。
そのため，化学的機械研磨 (CMP : Chemical Mechanical Polishing) による露光面平坦(たん)化の重要性が増している。
CMPは，被研磨材と砥粒，研磨液および研磨布間のトライボロジー現象を利用した加工法であり，
それぞれの機械的および化学的作用を定量的に明らかにしていくことは，
年々要求性能が厳しくなるCMPプロセスを開発するうえで重要である。
われわれは，層間絶縁膜 (SiO2膜) CMPについて，
ウェーハと研磨布間の接触圧力分布が研磨後の平坦性に及ぼす影響，
およびCu膜CMPについて，
研磨液成分の役割と各成分の濃度が研磨速度に及ぼす影響について明らかにした。
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