18MビットのラムバスDRAMの発売について 1995年3月17日 当社は、汎用DRAMの10倍以上の高速データ伝送が可能なラムバスDRA Mの新製品として、2Mワード×9ビット構成の18MビットラムバスDRAM 「TC59R1809VK/HK」を開発し、4月1日よりサンプル出荷を開始 します。 サンプル価格は12,000円で、8月から月産10万個規模で量産を開始し ます。
開発の背景と狙いラムバスDRAM(RDRAMTM)は、米ラムバス社が開発したデータ転送方 式を採用することにより、毎秒500Mバイトと汎用DRAMの10倍以上の高 速データ伝送を実現したDRAMです。 現在、汎用DRAMは汎用コンピュータやミニコン、ワークステーション、パ ソコンなどの主メモリや画像表示用メモリ、大容量データバッファなどに幅広く 使用されています。近年、これらの機器に使用されるマイクロプロセッサの急速 な演算処理能力の向上に対応し、システム全体の処理能力を高めるために、高速 データ伝送が可能なDRAMが求められています。 当社は、さらに、本製品のカットダウン版として、主にグラフィック市場の拡 大に対応する8MラムバスDRAM(1Mワード×8ビット構成)および16M ラムバスDRAM(2Mワード×8ビット構成)を開発中であり、年内の商品化 を予定しています。
新製品の主な特長
主な仕様形 名 TC59R1809VK TC59R1809HK 構 成 2Mワード×9ビット プロセス 0.5μmのCMOS、3層ポリシリコン、2層アルミ配線 性 能 クロックサイクルタイム 4ナノ秒 バーストリード/ライトサイクルタイム 2ナノ秒 ヒットリード時間 10クロックサイクル ヒットライト時間 4クロックサイクル 外囲器 32ピン 11mm高 SVP 36ピン 11mm高 SHP (縦形表面実装パッケージ) (横形表面実装パッケージ) |
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