本開発品の主な仕様

プロセス 0.35ミクロン 二層配線CMOS
トランジスタ数 約200万素子
チップサイズ 17.4mm×17.4mm
パッケージ 447ピン・セラミック・PGA
電源電圧 3.3V/2.5V
インターフェイス CMOS/LVDS
動作周波数 クロック入力:25MHz、LVDS:200MHz
その他:50MHz
消費電力 4W


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