今回開発した技術によって、世界で初めてＬＳＩの０．５ボルト動作を可能に しました。この技術によって、５ボルト動作のＬＳＩに比べ約１００分の１、 ３．３ボルト動作のＬＳＩに比べても約４０分の１の低消費電力化が可能になります。

　ＬＳＩの消費電力は電源電圧の２乗に比例するため、ＬＳＩの低消費電力化を 図るためには動作電圧を低減する必要があります。低電圧動作を可能にするためには、 しきい値電圧を低くする必要がありますが、しきい値電圧が低くなりすぎると 漏れ電流が大きくなるという問題がありました。

　これに対し、当社はトランジスタ毎に基板を分離してしきい値電圧を 制御できるようにすることによって、０．５ボルトでの動作が可能な回路技術を 世界で初めて開発しました。

　なお、本技術は、２月８日から米国サンフランシスコで開催されるＩＳＳＣＣ （国際固体素子回路会議）において発表の予定です。