チャータード・セミコンダクタ社とのシステムLSIに関する提携について 1997年6月3日 当社は、チャータード・セミコンダクタ社(本社所在地:シンガポール 社長:タン・ボック・セング(Tan Bock Seng))に対し、 0.25ミクロンおよび0.35ミクロンプロセスのDRAM混載ロジックの製品技術および製造の技術を供与するとともに、同社から製品の供給を受けることについて合意しました。 チャータード・セミコンダクタ社は、当社からの技術供与を受け、 本年中に稼働予定の新しいクリーンルームにおいて0.25ミクロンおよび0.35ミクロンプロセスのDRAM混載ロジックを生産し、 98年中に出荷を開始する計画です。 現在、情報・通信・映像が高度に融合したマルチメディアの進展にともない、 大容量のメモリが必要となっておりますが、 大量のメモリを効率的に出力させるため1チップ上にDRAMとロジックを混載したシステムLSIへのニーズが高まっています。 チャータード・セミコンダクタ社は、シンガポール政府の半導体産業の育成・支援の政策の下、 87年に国営企業のシンガポール・テクノロジー社の子会社として設立され、 ASIC(特定用途向けIC)などを中心に半導体の受託生産を行っています。
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