プレスリリース (1998.2.25)3 | ニュース

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新製品の主な特長

半導体レーザ制御ＬＳＩ「ＴＡ８５７６ＡＦＮ」

高速バイポーラプロセスの採用などによって、出力電流立ち上がり／立ち下がり時間を従来製品の２．５ナノ秒から１．５ナノ秒に短縮し、光ディスクの高速・高密度記録化に対応しています。
ピン数を従来の２４ピンから２０ピンに削減することなどによって、パッケージ面積を当社従来比約３分の２に小形化し、光ピックアップ部の小形化に対応しています。
パワーセーブ回路の内蔵によって、待機時電力を動作時の約５分の１の２０ミリアンペアに低減しています。
当社独自のＡＰＣ（オートパワーコントロール）回路をはじめ、高周波重畳回路、保護回路（駆動過電流制限、異常検出、電源監視）を１チップ化しています。

光波形処理ＬＳＩ「ＴＡ８５７７ＡＦ」

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