世界最高速動作を実現した強誘電体メモリ技術の開発について 1999年2月10日
当社は、新たなセル構造を採用することによって、 不揮発性メモリとして世界最高速のデータ読み出し・書き込み動作とチップ面積の縮小を実現できる強誘電体メモリ(FRAM)の技術を開発しました。 今回採用した構造は、当社が独自に開発したもので、 従来直列接続されていた強誘電体キャパシタとトランジスタを並列接続した構成のメモリセルをチェーン(鎖)状に配列しています。 強誘電体キャパシタを用いたFRAMは、電源を切ってもデータが消失しない不揮発性で、 また、同じ不揮発性メモリであるフラッシュメモリと比べて高速にデータの読み出し・書き換えができるなどの優れた特長をもつため、 究極のメモリとして注目を集めています。 当社が今回開発したチェーン構造によって、このような課題を解決でき、 高速で低コストのFRAMの実用化が可能になります。 当社は、携帯用コンピュータや電子マネーを含むICカードなどに幅広い利用が見込まれているFRAMの商品化に向けて技術開発を進めていきます。 なお、今回開発した技術は、2月15日からサンフランシスコで開催される国際固体素子回路学会(ISSCC99)で発表します。
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