モバイル携帯機器に適した高速、低消費電力メモリ

　当社は、低消費電力タイプの擬似スタティックＲＡＭ(Ｐｓｅｕｄｏ　ＳＲＡＭ、以下ＰＳＲＡＭ)の新製品として、業界最大の６４メガビットのメモリ容量を実現した「ＴＣ５１Ｗ６４１６ＸＢ－８０」など２品種４製品を商品化します。 サンプル出荷は１０月末から開始し、２００２年１月より月産１０万個規模で量産を開始します。

　ＰＳＲＡＭは、セルの構造がＤＲＡＭで、外部とのインターフェースの構造をＳＲＡＭと同じにしたメモリで、高集積化、大容量化が容易なＤＲＡＭと、高速、低消費電力化が可能なＳＲＡＭの両方の長所を持っています。 新製品は、低消費電力が求められる携帯電話端末に加え、大容量を求めるＰＤＡなどの携帯機器にも適しています。

　新製品は、０．１７５マイクロメートルのＣＭＯＳプロセスを採用し、業界最大のメモリ容量６４メガビットを実現するとともに、待機時の電流１００マイクロアンペア、データへのアクセス時間８０ナノ秒を可能にしています。 また、同期クロック入力方式が異なる製品をラインナップしていますので、お客様のシステム仕様に合わせて選択が可能です。

　さらに、今後は、新製品とＳＲＡＭやＮＡＮＤ型フラッシュメモリまたはＮＯＲ型フラッシュメモリとの組み合わせによるスタック型マルチ・チップ・パッケージも商品化する予定です。

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新製品の主な概要

開発の背景と狙い

新製品の主な特長

新製品の主な仕様

シミュレーションモデルについて

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