８メガ低消費電力ＳＲＡＭとして業界最高速４０ナノ秒のアクセスタイムを実現

　当社は、最先端０．１５ミクロンプロセス技術を駆使した８メガビット低消費電力ＳＲＡＭを開発し、同クラスの製品として業界最高速４０ナノ秒のアクセスタイムを実現した「ＴＣ５５ＶＢＭ３１６ＡＳＧＮ４０」など８製品を商品化します。本日からＭＣＰ（Multi Chip Package）実装向けのウェハ製品として、２月からパッケージ製品としてサンプル出荷を開始します。

　新製品は、８メガビット低消費電力ＳＲＡＭとしては業界最高速性能のアクセスタイム４０ナノ秒を実現していますので、今後の携帯電話等で要求されるメモリシステムのウェイト時間^＊の削減が可能になりシステムの高速化に大変効果的です。また、パッケージは、ＴＳＯＰタイプ１に加え、高密度実装に適したＣＳＰ（Chip Size Package）としてＦＢＧＡもラインナップしました。なお、新製品はすべてパッケージの鉛フリー化に対応しています。

　今後、０．１５ミクロンプロセス技術を駆使した４メガビットおよび１６メガビット低消費電力ＳＲＡＭを開発し、第２四半期に製品化する予定です。

新製品の主な概要

開発の背景と狙い

　携帯電話端末におけるインターネット技術を利用したデータサービス等の拡大にともない、搭載されるメモリに対しても、低消費電力化や大容量化だけでなく、データ伝送スピードの高速化に対する要求が大きくなってきています。

　当社は、このようなニーズに対応するため、０．１５マイクロメートルのＣＭＯＳプロセスを採用することにより、８メガ低消費電力ＳＲＡＭとしては、業界最速４０ナノ秒のアクセスタイムを実現した新製品を開発しました。

新製品の主な特長

1. 最先端０．１５ミクロンプロセス技術を駆使すること８メガビット低消費電力ＳＲＡＭとして、世界最高速性能のアクセスタイム４０ナノ秒を実現しています。

2. 内部電源電圧降下回路^＊を内蔵することにより、従来までの製品でサポートしていた外部電源電圧が将来製品にわたっても引き続きサポートが可能です。今回の新製品では、外部電源電圧として２．３Ｖ～３．６Ｖの使用が可能になっていますので、３．３Ｖシステムに加えて２．５Ｖシステムにも広く対応可能です。さらに、外部電源電圧１．６５Ｖ～２．２Ｖ対応製品もラインナップされ、今後要求が増える１．８Ｖ電源電圧システムにも対応可能です。
   

   ＊：	内部電源電圧降下回路：外部電源電圧を降圧して内部回路に供給する、チップに内蔵された電源回路。これにより、内部回路を構成する微細トランジスタ（0.15ミクロン素子）の高速動作性能を実現しながら、素子の高信頼性も同時に確保できる。さらに内部動作電圧を低くできるので、チップ消費電力の低減にも大きな効果が得られる。

3. パッケージは、従来品と同じＴＳＯＰタイプ１の１２ｍｍ２０ｍｍに加えて、小サイズの１２ｍｍ１４ｍｍも可能になりました。さらに、高密度実装に適した、ＣＳＰ（Chip Size Package）としてＦＢＧＡ７ｍｍ７ｍｍもラインナップに追加されます。今回開発した全ての８メガＳＲＡＭ新製品において、パッケージの鉛フリー化に対応しています。

新製品の主な仕様

お問い合わせ先

新製品についてのお客様からのお問い合わせ先