株式会社東芝
サムスン電子株式会社

　株式会社東芝、サムスン電子株式会社は、高速ネットワーク用ＤＲＡＭのインターフェース仕様を共通化することで合意しました。本共通仕様にもとづくネットワーク用ＤＲＡＭの製造および販売は各社がそれぞれ独自におこないます。

　東芝は、すでに高速ネットワーク用ＤＲＡＭとして富士通株式会社と共同開発したＤＤＲ　ＦＣＲＡＭ^ＴＭ＊を２５６メガビットから商品化しています。また、サムスン電子も、ＦＣＲＡＭ^ＴＭと互換性のある２５６メガビットのＮｅｔｗｏｒｋ－ＤＲＡＭをサンプル出荷しており、２００２年第３四半期から量産します。高速ネットワーク用メモリを採用することで、市場における先行性能と安定的な供給の確保が可能となります。

　これまで、大容量メモリシステムの構築にはＳｉｎｇｌｅ－Ｄａｔａ－Ｒａｔｅ　Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ　ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）及びＤｏｕｂｌｅ－Ｄａｔａ－Ｒａｔｅ　ＳＤＲＡＭなどのＤＲＡＭ製品を用いていましたが、インターネットやＬＡＮなどのネットワーク環境の急速な発展に伴い、取り扱う情報量が急激に増加しており、高速ＳＲＡＭの性能に迫る大容量メモリが必要とされてきています。両社はこれらのニーズに応えるため、高速大容量なメモリシステムの構築に最適なメモリとしてネットワーク用ＤＲＡＭを開発してきました。

　ネットワーク用ＤＲＡＭは次世代ＤＤＲ３３３に比べ５０％以上の高速ランダム・リードライトサイクルとレイテンシータイムを実現しています。また、次世代ＤＲＡＭと同等の高速データ転送を実現し、さらに、レイトライト機能を搭載することによりバス効率の高いメモリシステムを構築することができます。ネットワーク用ＤＲＡＭはこれらの特長から、ネットワーク機器のバッファメモリに限らず高性能コンピュータシステムのキャッシュ及び高性能メインメモリの構築にも使用することできます。