株式会社　東芝
サンディスクコーポレーション

　株式会社東芝（本社：東京都港区、代表者：岡村　正）とサンディスクコーポレーション（本社：米国カリフォルニア州、CEO：エリ・ハラリ）は、NAND型フラッシュメモリの供給能力増大と競争力強化を図るため、９０ナノメートル（nm）のプロセス技術を共同で開発していきます。

　両社は、東芝の最先端NAND型フラッシュメモリ・プロセス技術における卓越した経験と、サンディスクの開発した多値（MLC：Multi-Level Cell）技術をベースに、９０nmプロセス技術を用いた２ギガビット（Gb）のNAND型フラッシュメモリと４GbのMLC NAND型フラッシュメモリの早期製品開発をめざします。
　今回開発する４GbのNAND型フラッシュメモリは、１メモリセルあたりのメモリ容量を２倍にする多値技術を２Gb製品に組み込んだものです。４GbのＮＡＮＤフラッシュメモリをメモリーカードに搭載すれば、例えば、PDA、携帯電話、デジタルカメラなどに高画質の長編ビデオ、数千枚もの高解像度の画像や３０時間を越えるデジタル音楽などを記録することができます。

　９０nmプロセスを採用したNAND型フラッシュメモリのサンプルは、２００３年後半を予定しており、２００４年第1四半期（１－３月）に製品化する計画です。

　東芝とサンディスクは、これまでにも大容量のNAND型フラッシュメモリを製品化するため、２１０nm、１６０nm及び１３０nmのプロセス技術の共同開発を行ってきました。両社は、それぞれの技術及びリーディングカンパニーとしての地位を強化し、フラッシュメモリ市場拡大と新規市場開拓を進める上で、９０nmプロセス技術を採用したMLC NANDフラッシュの製品化が重要と考えています。今回の９０nmプロセス技術の共同開発においても、今までと同様に緊密な協力関係を維持しながら、両社の技術ノウハウを効果的に活用していきます。
　また、両社が開発する９０nmのNAND型フラッシュメモリは、両社合弁会社のフラッシュビジョン社（三重県四日市市）で生産する予定です。

　なお、東芝は、NAND型フラッシュメモリの競争力を強化し、新規市場の開拓を進めるため、次世代の７０nm及び５５nmのプロセス技術についても既に開発を始めており、最先端の技術開発に注力しつづけます。