株式会社　東芝
ソニー株式会社

　株式会社 東芝（以下、東芝）とソニー株式会社（同、ソニー）は、世界で初めて６５ナノメートル（ｎｍ）世代のＳｏＣ（システム・オン・チップ）向けＤＲＡＭ混載ＣＭＯＳ技術を開発しました。

　ブロードバンド時代では、動画像など大容量データの通信が増大しており、大量のデータを高速で処理するＬＳＩが求められています。このため、１つのチップ上に高性能のマイクロプロセッサと、大容量メモリを同時に形成する技術への要求が増大しています。

　６５ｎｍ世代のシステムＬＳＩ技術として両社は、(1)世界最速のスイッチングスピードの高性能トランジスタ、(2)世界最小の混載ＤＲＡＭセル、(3)世界最小の混載ＳＲＡＭセルなどを実現し、高性能マイクロプロセッサと大容量メモリを搭載できる次世代のシステムＬＳＩ技術を確立しました。

　なお、今回の成果については、１２月９日から米国サンフランシスコ市で開催されるＩＥＤＭ（国際電子デバイス会議）において、昨年の９０ｎｍ世代に続き、両社共同で発表する予定です（論文名「65nm CMOS Technology (CMOS5) with High Density Embedded Memories for Broadband Microprocessor Applications 」）。

開発の背景

　９０年代後半からのインターネット時代は、情報量と通信速度の増加をもたらしており、これによってＬＳＩが単位時間に処理すべきデータ量は飛躍的に増加しています。この急速なデータの増大に対して高速でデータ処理するため、１つのチップ上に高性能マイクロプロセッサと、大容量メモリを同時に形成する技術への要求がますます強くなっています。
　東芝は、現時点で９０ｎｍ世代を使ったＤＲＡＭ混載システムＬＳＩの量産技術を保有する世界で唯一の会社ですが、両社の共同開発により他社に先駆けてさらに微細化を加速させ、高速処理のトランジスタと混載メモリを実現する技術を確立しました。

開発の概要

　６５ｎｍ世代のシステムＬＳＩ技術として、次の４つの技術を確立しました。