当社は、今後の半導体事業におけるシステムＬＳＩおよびメモリの競争力強化を図るため、工場建設を伴う３００ミリウェハー対応投資を実施する基本方針を決定しました。

　３００ミリウェハー対応の製造ラインは、システムＬＳＩ拠点の大分工場（大分県大分市）、メモリ拠点の四日市工場（三重県四日市市）にそれぞれ建設する計画で、２００３年度以降、４年間かけて本投資を実施し、投資総額は約３，５００億円の見込みです。

　大分工場で建設するシステムＬＳＩの新棟では、今後需要増大が見込まれるブロードバンド対応などのシステムＬＳＩの量産を行います。ブロードバンド時代には、大容量データを高速処理するＬＳＩが必要となりますが、当社が先行するＤＲＡＭ混載システムＬＳＩ技術を用いるとともに、回路線幅４５ｎｍのデザインルール採用も視野に入れた、業界最高性能のシステムＬＳＩの製造を予定しています。着工時期は２００３年度、量産開始は、２００４年度の計画です。
　また、四日市工場に建設するメモリ新棟では、需要拡大が進むＮＡＮＤ型フラッシュメモリの量産を行います。現在当社は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリでは、世界シェアでトップクラスにありますが、新棟建設によって、引き続き競争力を確保するとともに、拡大する需要に応えます。量産開始は２００６年度の計画です。

　なお、具体的な投資内容については、市場動向などを見極めたうえで、詳細計画として改めて意思決定する予定です。