当社は、世界最大容量の３２メガビット強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ）を、独・インフィニオンテクノロジーズ社と共同開発しました。
　今回開発したＦｅＲＡＭは、８個のメモリセルを並列につないで省スペース化と高速処理を実現する当社独自の「チェーン構造」を採用し、０．２マイクロメートルの微細加工技術を利用したほか、トランジスタの上部にキャパシタを形成するＣＯＰ（Capacitor On Plug）技術を取り入れることにより、メモリセルの面積を従来の約１／３に縮小しています。
　また、３層メタルプロセスの採用や設計の改善により、チップ面積に占める周辺回路の割合をＦｅＲＡＭとして世界最小の３４％とし、チップ面積としてはチェーン構造を採用しない当社従来技術を用いた場合と比べ約半分の９６平方ミリメートルを実現しています。

　ＦｅＲＡＭは、電源を切ってもデータを保存できる不揮発性メモリで、同じ不揮発性メモリであるフラッシュメモリと比べ高速処理が可能で、ＤＲＡＭのように何度でも書き換えができるなどの優れた特長をもつ究極のメモリとして注目を集めています。

　今回開発した３２メガビットＦｅＲＡＭは、当社とインフィニオン社が２００１年から行っている共同開発によるもので、大容量化に加え、電源からのノイズに対する信頼性を向上させ、スタンバイ電流も低く抑えるなど性能を改善したことにより、ＩＣカードや携帯電話、モバイル端末などの用途にも使用が見込まれます。

　なお、今回開発した技術は、サンフランシスコで開催されている国際固体素子回路学会（ＩＳＳＣＣ２００３）において、本日（現地時間２月１１日）発表します。

強誘電体メモリの主な仕様