２チップ積層した８ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリも製品化

　当社は、需要が急拡大している大容量メモリカード向けに、最先端９０ナノメートルプロセスの微細加工技術と多値技術を用いた業界最大容量４ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリ「ＴＣ５８ＮＶＧ２Ｄ４ＢＦＴ００」を製品化します。サンプル出荷を今月下旬から開始し、本年第３四半期から月産３０万個規模で量産を行います。

　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、大容量データを記録するのに適しており、デジタルスチルカメラや多機能携帯電話端末、半導体メモリを使用したオーディオ製品向けなどに需要が急激に拡大しており、更なる大容量化が求められています。
　新製品は、ページサイズの拡張やメモリセル制御システムの最適化により、当社従来の多値製品^＊に比べ約８倍の書込み速度高速化を実現しています。また、４ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリを２個積層させることで、１パッケージで８ギガビットの大容量を実現したＴＳＯＰ^＊２パッケージ品についても製品化する予定です。この新製品により４ギガバイトの大容量カードの実現が可能となります。さらに４ギガビットＮＡＮＤ型フラッシュメモリを４個積層させた１６ギガビット品についても、本年第３四半期にサンプル出荷を開始する予定です。

　当社は、１９９９年に米国・サンディスクコーポレーション（本社：カリフォルニア州サニーベール市、代表者：ＣＥＯエリ・ハラリ）とＮＡＮＤ型フラッシュメモリの共同開発について包括的に提携をしており、新製品はその一環として開発したものです。新製品の量産は、両社出資の製造合弁会社であるフラッシュビジョン（東芝四日市工場内）で行います。

新製品の概要

開発の背景とねらい

　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは、大容量のデータを記録するのに適したメモリで、デジタルスチルカメラや携帯情報端末、また半導体メモリを使用したオーディオ製品などのデータ蓄積用に需要が拡大し、より大容量なメモリが求められています。
　こうしたニーズに対応するため、４ギガビット及び８ギガビットのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを開発・商品化し、大容量メモリを必要とするカード市場に提供していきます。

新製品の主な特長

新製品の主な仕様

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