半導体マスク欠陥検査技術開発の合弁会社設立について 2004年8月11日
株式会社 東芝 株式会社東芝(以下、東芝)と日本電気株式会社(以下、NEC)はこのたび、次々世代の45nm(ITRSの65nm相当)*LSIの製造に使用する、フォトマスク(回路原板)欠陥検査装置の技術を開発する合弁会社を設立することで合意しました。 欠陥検査装置は、マスクパターンの投影像から微小な欠陥を検出するもので、微細なLSI生産の歩留まり向上においてますます重要性を増しています。 東芝とNECは、2001年度から45nm対応のマスク欠陥検査向けに、光学技術や欠陥検出技術などの基本技術を共同開発していますが、新会社設立により、実際の装置に組み込むための実用化技術の開発を本格化します。
新会社の概要
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