スーパージャンクション構造を採用

　当社は、テレビなど家電機器の電源部やＡＣアダプター内での電力変換用に、動作時の抵抗が小さいスーパージャンクション構造の採用により、動作時の抵抗（オン抵抗）による電力損失を従来の約４０％に抑えたパワーＭＯＳＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）の新製品「ＴＫ１５Ａ６０Ｓ」を商品化します。
　新製品のサンプル出荷は本日から開始し、４月から月産１００万個の規模で量産を開始します。

　スーパージャンクション構造は、シリコン基板上の素子に電流が流れやすい垂直方向の通電経路を作ることでシリコンの理論限界以上の低抵抗化を実現する手法です。
　新製品は、同構造の採用をはじめとする全般的な構造の最適化により、動作時の面積当たりの抵抗を当社従来比で約６０％低減したほか、動作遅延の要因となるゲート電荷を約４０％低減しています。
　これにより、ＭＯＳＦＥＴの性能指数であるＲｏｎ・Ｑｇ特性^＊を、当社従来製品に比べ１／４に低減しています。

　今回、当社は素子中に溝を掘る独自のＤＴＭＯＳ（Deep Trench MOSFET）技術によりスーパージャンクション構造の実用化を図っており、ＤＴＭＯＳ技術によるスーパージャンクション構造パワーＭＯＳＦＥＴの製品化は業界初となります。

新製品の概要

開発の背景と狙い

　近年、民生用の電子機器では、省エネ対応や機器の小型化へのニーズが増大しており、電源部に用いるパワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を低減して電源効率を向上することが求められています。こうしたニーズに対応し、当社は、これまでのパワーＭＯＳＦＥＴの開発、製造技術の蓄積を生かし、今回新たにＤＴＭＯＳプロセス技術により電源効率を向上できる新製品を商品化するものです。

新製品の主な特長

新製品の主な仕様

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