X帯(※1)で世界最高出力の窒化ガリウム・パワーFET(※2)の開発について 2006年11月13日
9.5GHz帯で 81.3Wの出力を達成 当社は、衛星通信基地局やレーダーなどで用いられるマイクロ波※3固体化増幅器向けの高周波・高出力素子として、9.5GHz帯で世界最高出力の81.3Wの出力を達成した窒化ガリウム(GaN)・パワーFETを開発しました。これにより、増幅器の高出力化、固体化、小型化が可能となります。 今回開発した窒化ガリウム・パワーFETは、結晶層構造とチップ構造を最適化することにより、発生する熱の分散と高周波である9.5GHz帯での特性を両立させ、X帯における世界最高出力を達成しました。 当社では、本技術に基づき、X帯50W級FETの製造技術を確立し、サンプル出荷を開始しました。このサンプル出荷に続き、半年以内の量産化を目指します。 なお、今回の開発成果は、本日(米国現地時間11月12日)から米国テキサス州サンアントニオで開催される化合物半導体ICシンポジウムにて発表します。 開発の背景と狙い 近年の衛星通信の大容量化やレーダー到達距離の拡大に伴い、それらの用途に用いられる増幅素子は更なる高出力化が求められています。 新製品の主な特長
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