３２ナノメートル世代のシステムＬＳＩプロセス技術の共同開発について

2007年11月27日

株式会社東芝
ＮＥＣエレクトロニクス株式会社

　株式会社東芝（代表執行役社長：西田厚聰）およびＮＥＣエレクトロニクス株式会社（代表取締役社長：中島俊雄）は、３２ナノメートル（以下ｎｍ、１ナノは１０億分の１）世代のシステムＬＳＩプロセス技術を共同開発することについて合意いたしました。

　両社は、２００６年２月から４５ｎｍ世代に対応するシステムＬＳＩプロセス技術を共同開発してきました。今回の合意にもとづき、引き続き３２ｎｍ世代でも共同開発を行うことで、量産に向けた最先端プロセス開発を加速していくとともに、開発コストの負担を両社で分担し、投資効率の向上を図ります。

　３２ｎｍ世代のプロセス技術開発では、高性能化・低消費電力化を実現するために非常に高度な技術が要求され、従来にも増して開発リソースの負担が増大します。このため、世界の主要なシステムＬＳＩメーカーが開発効率向上に向けて協力関係の構築を進めています。こうした環境の中、東芝とＮＥＣエレクトロニクスは、今後の３２ｎｍ世代のロジック製品の量産化に向けたプロセス開発を効率的に進めるために、プロセス技術の共同開発について検討してまいりました。

　今回の合意により、両社は現在４５ｎｍの共同開発を行っている東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）において、引き続き３２ｎｍ共同開発を推進し、開発効率の向上を図ります。両社で開発するのは基幹プロセスとし、それ以外の付加プロセスや差異化プロセスについては、両社で協議の上、個別にその扱いを決めてまいります。また、製品の生産に関しては共同生産を視野に入れて両社で協議を継続し、２００８年中に方針を決定します。

　両社は、今回の提携により、高性能・高品質な、市場競争力のあるシステムＬＳＩ製品を早期に市場投入し、世界の半導体業界におけるリーディングカンパニーを目指します。